组分调谐拓扑绝缘体纳米线的MOCVD合成
材料科学
2015-07-24 v1
摘要
涉及拓扑绝缘体（TIs）的器件应用需要发展可扩展的方法来制备具有亚微米尺寸、高质量表面和可控组分的TI样品。在此，我们使用含Bi、Se和Te的金属有机前驱体来合成纳米线形式的TIs。可以生长出组分范围从Bi2Se3到Bi2Te3的单晶纳米线，包括三元化合物Bi2Te2Se。这些高质量的纳米结构TI化合物是当前寻找Majorana费米子的合适平台。
引用
@article{arxiv.1507.06360,
title = {MOCVD synthesis of compositionally tuned topological insulator nanowires},
author = {L. D. Alegria and N. Yao and J. R. Petta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06360},
year = {2015}
}