拓扑绝缘体中的金属掺杂——可调太赫兹产生的一把钥匙
材料科学
2020-07-01 v1 强关联电子
超导电性
摘要
独特的表面边缘态使拓扑绝缘体成为各类应用中的主要焦点。在本文中，我们合成了化学式为 Nb0.25Bi2Se3 的铌(Nb)掺杂 Bi2Se3 拓扑绝缘体(TI)大单晶。该单晶已通过粉末 X 射线衍射仪(PXRD)、直流磁化测量、拉曼和超快瞬态吸收光谱(TRUS)等多种技术进行了表征。PXRD 中存在 (00l) 衍射峰，且在 FC 和 ZFC 测量中 2.5K 处清晰可见的抗磁转变表明晶体中伴生有超导性。拉曼光谱用于寻找样品中的不同振动模式。进一步，样品被 1.90 eV 的泵浦光激发，并考虑 1.38 eV 处的动力学衰减曲线用于太赫兹分析。微分衰减曲线具有不同振动，这些振荡已根据太赫兹进行了分析。本文不仅提供了 Nb 掺杂样品与未掺杂样品中太赫兹产生的证据，还表明掺杂原子改变了电荷载流子的动力学，从而引起了太赫兹频率响应的偏移。总之，合适的掺杂剂可用作处理器以实现 TI 中太赫兹频率的可调性。
引用
@article{arxiv.2006.16483,
title = {Metal Doping in Topological Insulators- A Key for Tunable Generation of Terahertz},
author = {Prince Sharma1 and M. M Sharma and Mahesh Kumar and V. P. S Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16483},
year = {2020}
}
备注
16 Pages Text + Figs: Comments/suggestions welcome