利用电子辐照对 Bi2Te3 进行掺杂
材料科学
2013-12-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究探讨利用电子辐照对拓扑绝缘体 Bi2Te3 进行掺杂的方法。为此，我们在室温下用 2.5 MeV 电子辐照 p 型 Bi2Te3 单晶，并在高达 14 T 的磁场中进行了原位及非原位电学测量。辐照产生的缺陷充当电子施主，不仅补偿了材料初始的空穴型导电性，还实现了从 p 型到 n 型的导电类型转换。我们利用霍尔效应和 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡研究了载流子浓度的变化；SdH 振荡在辐照前的 p 型样品中清晰可见，在辐照诱导导电性转换为 n 型后同样可观测到。对于沿三角轴方向的磁场，所观察到的 SdH 图样完全可以假设仅有一个价带和一个导带的贡献，以及轨道能级的 Zeeman 分裂来解释。
引用
@article{arxiv.1312.0242,
title = {Doping of Bi2Te3 using electron irradiation},
author = {C. W. Rischau and B. Leridon and B. Fauqué and V. Metayer and C. J. van der Beek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0242},
year = {2013}
}
备注
Final version