Ti 掺杂 Bi$_2$Se$_3$ 的制备、表征与电子结构

Sawani Datta; Arindam Pramanik; Ram Prakash Pandeya; Anup Pradhan Sakhya; A. Thamizhavel; Kalobaran Maiti

doi:10.1063/5.0017185

Ti 掺杂 Bi$_2$Se$_3$ 的制备、表征与电子结构

材料科学 2020-12-02 v1

作者: Sawani Datta , Arindam Pramanik , Ram Prakash Pandeya , Anup Pradhan Sakhya , A. Thamizhavel , Kalobaran Maiti

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摘要

我们报道了使用布里奇曼（Bridgeman）技术制备高质量知名拓扑绝缘体 Bi $_2$ Se $_3$ 单晶及其 Ti 掺杂组分。所制备的单晶通过 X 射线衍射（XRD）表征以检查晶体结构，并通过 X 射线能量色散分析进行成分分析。Ti 掺杂化合物的 XRD 数据相对于正常 Bi $_2$ Se $_3$ 显示微小偏移，表明晶格参数发生变化而结构类型保持不变；这也证实 Ti 进入了预期的替代位。上述所有分析确立了使用布里奇曼技术成功制备了这些高质量晶体。我们进行了 X 射线光电子能谱以通过研究核心能级谱来考察成分。Bi $_2$ Se $_3$ 谱在核心能级处展现出尖锐且清晰的特征，且无杂质特征。Ti 掺杂样品的核心能级谱由于 Ti 核心能级而展现出明显信号。光谱特征的分析揭示了等离子体激元激发与终态卫星的特征；这是电子结构中有限电子关联效应的标志。

关键词

拓扑绝缘体 Ti掺杂Bi2Se3 单晶 X射线衍射 X射线光电子能谱电子关联

引用

@article{arxiv.2005.01269,
  title  = {Preparation, Characterization and electronic structure of Ti-doped Bi$_2$Se$_3$},
  author = {Sawani Datta and Arindam Pramanik and Ram Prakash Pandeya and Anup Pradhan Sakhya and A. Thamizhavel and Kalobaran Maiti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2005.01269},
  year   = {2020}
}

备注

Proceedings of DAE SSPS 2019

Ti 掺杂 Bi$_2$Se$_3$ 的制备、表征与电子结构

摘要

关键词

引用

备注

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