p型Bi2Se3在拓扑绝缘体与低温热电应用中的研究
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
本文报道了p型Bi2Se3单晶的生长及其基本性质。基于对Bi2Se3缺陷化学的假设，通过用Ca低量（1%或更少）替代Bi，诱导了p型行为。利用扫描隧道显微镜对缺陷进行成像并确定其电荷。隧道谱和角分辨光电子能谱显示，与n型材料相比，Bi1.98Ca0.02Se3的费米能级已降低约400 meV进入价带。报道了室温下ab面塞贝克系数为+180 μV/K的p型单晶。这些晶体在低温下表现出塞贝克系数的巨大反常峰，在7 K时达到+120 μV/K，使其在低温下具有高热电功率因子。除了有趣的热电性质外，p型Bi2Se3对于研究拓扑绝缘体所提出的技术和现象也具有重要价值。
引用
@article{arxiv.0903.4406,
title = {p-type Bi2Se3 for topological insulator and low temperature thermoelectric applications},
author = {Y. S. Hor and A. Richardella and P. Roushan and Y. Xia and J. G. Checkelsky and A. Yazdani and M. Z. Hasan and N. P. Ong and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.4406},
year = {2015}
}
备注
v2: STM characterization of n and p type Bi2Se3 is added