超薄膜极限下增强的热电性能
材料科学
2021-10-20 v1
摘要
在超薄膜极限下,量子限制显著提升了Sb₂Te₃和Bi₂Te₃等材料的热电优值。这些高质量薄膜仅能通过分子束外延等受控技术实现。我们报道了使用热共蒸发这一经济方法使p型Sb₂Te₃和n型Bi₂Te₃的塞贝克系数均翻倍。在大于100 nm的厚膜极限下,其塞贝克系数约为100 μV/K,与其他工作的结果相近。当薄膜厚度小于50 nm时,塞贝克系数增至约500 μV/K。总塞贝克系数约1 mV/K且估计ZT约2,该材料组合是室温实用微型冷却器的第一步。
引用
@article{arxiv.1912.11274,
title = {Enhanced thermoelectricity at the ultra-thin film limit},
author = {Thao T. T. Nguyen and Linh T. Dang and Giang H. Bach and Tung H. Dang and Kien T. Nguyen and Hong T. Pham and Thuat T. Nguyen and Tuyen V. Nguyen and Toan T. Nguyen and Hung Q. Nguyen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.11274},
year = {2021}
}
备注
4 pages, 4 figures