垂直于温度梯度的P-N-P突变异质结构的热电性能
材料科学
2020-09-24 v1
摘要
我们提出一种垂直于温度梯度的P-N-P突变异质结构模型以改善热电性能。由于外加温度梯度平行于耗尽层，该P-N-P异质结构被视为突变双极结型晶体管。以Bi2Te3和Bi0.5Sb1.5Te3分别作为N型和P型热电材料为例，我们实现了在放大工作功率的同时独立控制塞贝克系数与电导率的目的。计算结果表明，塞贝克系数可达3312V/K，且该模型的ZTmax值为45或425，比块体材料与薄膜大数十甚至数百倍。
引用
@article{arxiv.2009.11255,
title = {Thermoelectric performance of P-N-P abrupt heterostructures vertical to temperature gradient},
author = {Bohang Nan and Guiying Xu and Quanxin Yang and Tao Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.11255},
year = {2020}
}
备注
27 pages, 8 figures, 34 references