拓扑绝缘体 Bi$_2$Te$_2$Se 的低载流子浓度晶体
强关联电子
2015-06-03 v1
摘要
我们报道了通过改进的 Bridgman 和 Bridgman-Stockbarger 晶体生长技术获得的 BiTeSe 晶体的表征。X 射线衍射研究证实了在内部和外部硫族元素层中分别存在有序的 Se-Te 分布，仅有少量混合。在长 Bridgman-Stockbarger 晶体的中心区域发现了在 4 K 下表现出高电阻率 () 和低载流子浓度 (/cm) 的晶体，我们将其归因于沿晶棒长度方向缺陷密度的极小差异。对温度依赖的电阻率和霍尔系数的分析揭示了该相中施主和受主的潜在起源。
引用
@article{arxiv.1112.1648,
title = {Low carrier concentration crystals of the topological insulator Bi$_2$Te$_2$Se},
author = {Shuang Jia and Huiwen Ji and E. Climent-Pascual and M. K. Fuccillo and M. E. Charles and Jun Xiong and N. P. Ong and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.1648},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 5 figures, accepted by PRB