拓扑绝缘体Bi$_2$Se$_{3-x}$Te$_x$中的原子分布
材料科学
2016-12-15 v1
摘要
BiSe是一种拓扑绝缘体，通常通过掺杂Te来补偿因Se空位产生的n型载流子。Te的不同掺杂模式会影响表面态的输运特性。我们利用第一性原理密度泛函理论计算，研究了不同Te浓度下BiSe中Te原子的分布。结果表明，Te倾向于占据外层，直到组分变为BiSeTe且外层完全被Te填满。对于单层内Se和Te原子比例固定的情况，我们发现相邻Te-Se对数量较少的结构往往具有更低的能量。这可能导致在低退火温度下形成局域Te团簇。
引用
@article{arxiv.1612.04756,
title = {Atomic Distributions in Topological Insulator Bi$_2$Se$_{3-x}$Te$_x$},
author = {Kaixin Huang and Haotian Zheng and Weidong Luo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.04756},
year = {2016}
}