拓扑绝缘体 Bi2Se3 表面的气体掺杂
介观与纳米尺度物理
2013-10-01 v1
摘要
利用第一性原理计算，研究了在存在 Se 空位的拓扑绝缘体 Bi2Se3 表面上的气体分子掺杂。与实验一致，发现 NO2 和 O2 占据 Se 空位位置，消除空位掺杂的电子，并恢复完美表面的能带结构。相比之下，NO 和 H2 不利于此类空位的钝化。有趣的是，我们揭示了一个 NO2 解离过程，可以很好地解释近期实验报道的推测性引入的“光子掺杂”效应。提出了验证该机制的实验策略。讨论了不同钝化剂的选择与效果。这一步为利用此类材料中稳健的拓扑表面态的器件应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1109.4000,
title = {Gas Doping on the Topological Insulator Bi2Se3 Surface},
author = {Mohammad Koleini and Thomas Frauenheim and Binghai Yan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.4000},
year = {2013}
}