拓扑绝缘体 $Bi_2 Se_3$ 的反应性化学掺杂
介观与纳米尺度物理
2011-11-15 v1
摘要
利用角分辨光电子能谱，我们研究了拓扑绝缘体 表面电子结构随水蒸气暴露的演化。我们发现，与水的表面反应诱导了能带弯曲，将狄拉克点深移至占据态，并产生了具有强 Rashba 型劈裂的量子阱态。因此，该表面并非化学惰性，但拓扑态仍受保护。能带弯曲可追溯至表面硒的脱附，留下带正电的空位。由于水蒸气的存在，当 晶体置于真空中或在空气中解理时，也会发生类似效应，这很可能解释了在 能带结构中观察到的老化效应。
引用
@article{arxiv.1105.2664,
title = {Reactive chemical doping of the $Bi_2 Se_3$ topological insulator},
author = {Hadj M. Benia and Chengtian Lin and Klaus Kern and Christian R. Ast},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2664},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 4 figures