快速表面氧化作为 Bi2Se3 表面退化因素的来源
材料科学
2011-07-04 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
Bi2Se3 是一种拓扑绝缘体，其金属表面态位于大的体带隙中。人们认为 Bi2Se3 在暴露于大气后会获得额外的 n 型掺杂，从而降低表面态在总电导率中的相对贡献。在这封信中，对 Bi2Se3 纳米带的输运测量为这种环境掺杂过程提供了额外证据。通过 X 射线光电子能谱进行的系统表面成分分析揭示了在环境条件下 Bi2Se3 上原生氧化物的快速形成和持续生长。除了表面的 n 型掺杂外，这种表面氧化很可能是拓扑表面态退化的材料根源。可能需要适当的表面钝化或封装才能通过输运测量探测 Bi2Se3 的拓扑表面态。
引用
@article{arxiv.1102.3935,
title = {Rapid Surface Oxidation as a Source of Surface Degradation Factor for Bi2Se3},
author = {Desheng Kong and Judy J. Cha and Keji Lai and Hailin Peng and James G. Analytis and Stefan Meister and Yulin Chen and Hai-Jun Zhang and Ian R. Fisher and Zhi-Xun Shen and Yi Cui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.3935},
year = {2011}
}