拓扑绝缘体表面态研究：Bi2Se3
介观与纳米尺度物理
2012-08-16 v1 超导电性
摘要
我们基于第一性原理，对拓扑绝缘体 Bi2Se3 的表面态进行了一项入门性研究。
引用
@article{arxiv.1208.1482,
title = {A study on the surface states of a topological insulator: Bi2Se3},
author = {Wasim Raja Mondal and Swapan K. Pati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1482},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 4 pages