连接热电性能与拓扑绝缘体行为：基于第一性原理的 Bi$_2$Te$_3$ 与 Bi$_{2}$Te$_{2}$Se 研究
材料科学
2015-01-26 v1
摘要
热电性能因在废热回收和固态能量转换等众多应用中的潜力而备受关注，并且被发现与拓扑绝缘体行为密切相关。在此背景下，我们本文报告了 BiTeSe 相对于 BiTe 的第一性原理输运和缺陷计算。结果表明，尽管这两种化合物具有相同的结构和等电子性质，但它们包含显著不同的电子结构。我们结合这些化合物的拓扑绝缘体特性讨论了这些结果。
引用
@article{arxiv.1412.5407,
title = {Connecting thermoelectric performance and topological-insulator behavior: Bi$_2$Te$_3$ and Bi$_{2}$Te$_{2}$Se from first principles},
author = {Hongliang Shi and David Parker and Mao-Hua Du and David J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.5407},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 12 figures