正电子表面态作为表征拓扑绝缘体材料表面的光谱探针
材料科学
2016-09-09 v3
摘要
拓扑绝缘体因其在技术应用方面的潜力以及作为探索广泛基础科学问题的平台而备受关注。为了利用、微调、控制和操纵拓扑表面态，能够有效探测其性质的光谱工具至关重要。在此，我们证明正电子为拓扑态提供了灵敏的探针，并且相关的湮灭谱提供了一种表征这些态的新技术。给出了在BiTeSe附近存在结合能 的正电子表面态的坚实实验证据，并通过第一性原理计算加以确认。此外，模拟预测了源自与拓扑表面态湮灭的显著信号，并显示了通过使用自旋极化正电子束探测其自旋织构的可行性。
引用
@article{arxiv.1605.06629,
title = {Positron surface state as a spectroscopic probe for characterizing surfaces of topological insulator materials},
author = {Vincent Callewaert and K. Shastry and Rolando Saniz and Ilja Makkonen and Bernardo Barbiellini and Badih A. Assaf and Donald Heiman and Jagadeesh S. Moodera and Bart Partoens and Arun Bansil and A. H. Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.06629},
year = {2016}
}