表面物理中的正电子

在过去的十年中，已开发出利用明亮低能正电子束研究表面的强有力方法。这些新颖的分析工具利用了正电子与表面相互作用的独特性质，包括不存在交换相互作用、排斥性晶体势以及在低能下正电子被束缚于离域表面态。通过应用反射高能正电子衍射(RHEPD)，人们可以受益于临界角以下全反射现象，而该现象在电子表面衍射中不存在。因此，RHEPD能够以极高的精度确定（重构）表面的原子位置。正电子湮灭诱导俄歇电子能谱(PAES)的主要优势在于在俄歇跃迁能量区域缺少二次电子本底，以及其对元素分析的最表层灵敏度。为了能够研究表面电子极化，使用低能自旋极化正电子来探测表面最外层电子。此外，在基础研究中，为产生束缚轻子体系而量身定制制备明确表面的工作起着突出作用。本报道旨在涵盖正电子表面相互作用的基本方面以及利用现代正电子束技术进行表面研究的现状。