过渡金属氧化物表面二维电子气的 ARPES 研究
强关联电子
2016-12-13 v1 材料科学
摘要
高迁移率二维电子气（2DEGs）支撑着当今的硅基器件，并对新兴的氧化物电子学领域具有根本重要性。此类 2DEGs 通常通过工程化异质界面的能带偏移与电荷转移来产生。然而，2011 年的研究表明，高度巡游的 2DEGs 也可以在不同过渡金属氧化物的裸露表面被诱导产生，在这些表面它们更容易进行高分辨率角分辨光电子能谱（ARPES）实验。在此，我们回顾了这一新兴领域的工作，这些工作使我们对由高度各向异性过渡金属 d 态沿不同晶向量子限制所产生的子能带结构有了系统性认识。我们进一步讨论了不同表面制备的作用以及表面 2DEGs 的起源，对此的理解已使 2DEG 载流子密度的控制成为可能。最后，我们讨论了强多体相互作用的特征，以及来自表面 2DEGs 的光谱数据如何与相同主体材料中界面 2DEGs 的输运性质相关联。
引用
@article{arxiv.1612.03571,
title = {ARPES Studies of Two-Dimensional Electron Gases at Transition Metal Oxide Surfaces},
author = {S. McKeown Walker and F. Y. Bruno and F. Baumberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03571},
year = {2016}
}
备注
Contributed chapter in book entitled "Spectroscopy of Transition Metal Oxide Interfaces" by Springer. Editors: C. Cancellieri and V.N. Strocov