光发射诱导的拓扑绝缘体门控
介观与纳米尺度物理
2011-02-15 v2 材料科学
强关联电子
摘要
最近发现的拓扑绝缘体展现出受拓扑保护的金属表面态，这些表面态从基础物理角度看十分有趣，并且如果能实现适当的电子门控，可能对多种应用有用。我们对Cu插层Bi2Se3的光发射研究表明，该材料中的表面态占据数可以通过改变光子能量来调控，并可理解为一种光发射诱导的门控效应。我们的发现为研究拓扑表面态产生的新物理提供了有效工具，并表明插层法是合成适用于电子应用材料的可行方案。
引用
@article{arxiv.1009.4855,
title = {Photoemission induced gating of topological insulator},
author = {A. A. Kordyuk and T. K. Kim and V. B. Zabolotnyy and D. V. Evtushinsky and M. Bauch and C. Hess and B. Buechner and H. Berger and S. V. Borisenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.4855},
year = {2011}
}
备注
+ resistivity data and some discussion