超导掺杂拓扑绝缘体系统的化学门控电子结构
超导电性
2015-06-16 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用角分辨光电子能谱观测了体掺杂拓扑绝缘体 CuBiSe 在额外铜原子沉积到解理晶体表面时电子结构的变化。估算了晶体表面附近的载流子密度和表面法向电场强度，以考虑化学表面门控对与拓扑绝缘体序相关的非典型超导特性（如理论预测的 Majorana 费米子涡旋动力学）的影响。
引用
@article{arxiv.1308.4467,
title = {Chemically gated electronic structure of a superconducting doped topological insulator system},
author = {L. A. Wray and S. Xu and M. Neupane and A. V. Fedorov and Y. S. Hor and R. J. Cava and M. Z. Hasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4467},
year = {2015}
}