弱拓扑绝缘体 Bi14Rh3I9 的化学门控
介观与纳米尺度物理
2017-10-11 v1 材料科学
摘要
化合物 Bi14Rh3I9 最近基于角分辨光电子能谱和扫描隧道实验，结合密度泛函（DF）电子结构计算，被认为是一种弱三维拓扑绝缘体。这些方法一致支持该标题化合物的拓扑特性，但令人信服的确认只能通过专门的输运实验获得。然而，后者因其表面极性而受到材料表面本征 n 型掺杂的干扰。极性表面的电子重构将拓扑能隙移至费米能级以下，这也将阻碍任何未来的器件应用。在此，我们报告了对 Bi14Rh3I9 进行化学门控和反向掺杂表面的 DF 平板模型计算结果。我们证明这两种方法均可用于补偿表面极性，而不会闭合电子能隙。
引用
@article{arxiv.1710.03466,
title = {Chemical Gating of a Weak Topological Insulator: Bi14Rh3I9},
author = {Madhav Prasad Ghimire and Manuel Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.03466},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 7 figures, Accepted