常压环境下 $\text{Cu}_{x}\text{Bi}_2\text{Se}_3$ 的铜迁移与表面氧化
介观与纳米尺度物理
2022-07-12 v1
摘要
插层等化学修饰可用于改变表面性质或进一步功能化拓扑绝缘体的表面态。利用常压X射线光电子能谱，我们报道了 中的铜迁移现象，该现象在初始表面解理后数小时至数天的时间尺度上发生。近表面铜的增加伴随样品表面的氧化以及硒含量的大幅变化。这些复杂变化进一步通过核心能级谱模拟进行建模，模拟表明随氧暴露发展出近表面成分梯度。我们的结果揭示了插层拓扑绝缘体——以及广义上的插层材料——必须考虑的一种新现象：当样品暴露于环境条件时表面化学成分会发生变化。
引用
@article{arxiv.2207.04155,
title = {Copper migration and surface oxidation of $\text{Cu}_{x}\text{Bi}_2\text{Se}_3$ in ambient pressure environments},
author = {Adam L. Gross and Lorenz Falling and Matthew C. Staab and Metzli I. Montero and Rahim R. Ullah and David M. Nisson and Peter Klavins and Kristie J. Koski and Nicholas J. Curro and Valentin Taufour and Slavomir Nemsak and Inna M. Vishik},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04155},
year = {2022}
}