磁掺杂拓扑绝缘体中不同体相与表面化学环境的观测
材料科学
2014-08-14 v1 强关联电子
摘要
磁性掺杂剂对拓扑绝缘体 (TIs) 中电子和化学环境的影响是考虑基于拓扑表面态特性的自旋电子学应用时的关键因素。在此，我们提供了光谱学证据，证明 Bi2Te3 的表面和体相磁性掺杂存在不同的化学和电子行为。在 Bi2Te3 体相中掺入 Mn 会诱导产生真正的稀铁磁态，且随着 Mn 含量的增加，体相带隙减小。另一方面，在 Bi2Te3 表面沉积 Fe 有利于形成碲化铁，即使在低至 0.07 单层的覆盖度下也是如此，这是富 Te 表面反应性的结果。我们的结果确定了在实现基于 TIs 的磁性纳米系统和界面时需要控制的因素。
引用
@article{arxiv.1408.2971,
title = {Observation of Distinct Bulk and Surface Chemical Environments in a Topological Insulator under Magnetic doping},
author = {Ivana Vobornik and Giancarlo Panaccione and Jun Fujii and Zhi-Huai Zhu and Francesco Offi and Benjamin R. Salles and Francesco Borgatti and Piero Torelli and Jean Pascal Rueff and Denis Ceolin and Alberto Artioli and Manju Unnikrishnan and Giorgio Levy and Massimiliano Marangolo and Mamhoud Eddrief and Damjan Krizmancic and Huiwen Ji and Andrea Damascelli and Gerrit van der Laan and Russell G. Egdell and Robert J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.2971},
year = {2014}
}