残余气体吸附对 Cr 掺杂 Bi2Se3 电子结构的影响
材料科学
2020-06-25 v1
摘要
在本报告中，我们确定了杂质掺杂拓扑绝缘体中表面能隙温度依赖性的起源。通过角分辨光电子能谱在 Cr 掺杂 Bi2Se3 中研究了狄拉克点处的能隙及其随温度的变化。我们的价带光电子能谱结果表明，该能隙随温度变化是由于冷却时残余气体在样品表面凝结所致。样品表面的吸附物产生电子掺杂效应，改变了系统的化学势，从而导致能隙随温度变化。此种电子掺杂会削弱铁磁性并导致输运测量中的体能带贡献。此外，要抑制量子反常霍尔效应的热激发需要更大的能隙。因此，此类效应会阻碍较高温度下的量子反常霍尔态。解决此问题可为提高量子反常霍尔效应的观测温度铺平道路。因而，我们的发现可在杂质掺杂拓扑绝缘体中高温量子反常霍尔效应的发现中发挥重要作用。
引用
@article{arxiv.1711.02302,
title = {Residual gas absorption effect on the electronic structure of Cr-doped Bi2Se3},
author = {T Yilmaz and W Hines and S Alraddadi and J I Budnick and B Sinkovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.02302},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 6 figures