厚度驱动的拓扑量子相变及Cr掺杂Bi2Se3中狄拉克半金属态的实验证据
材料科学
2017-11-07 v1
摘要
在本报告中，我们证明Cr掺杂Bi2Se3中的能隙随样品厚度增加以振荡方式闭合与重开，表明由量子有限尺寸效应驱动的拓扑量子相变。该振荡模式提供了一种证据，即Cr掺杂Bi2Se3可依据样品厚度与Cr含量而具有狄拉克半金属态。这解决了拓扑绝缘体狄拉克点处非磁性能隙打开的谜题。在狄拉克半金属态中，能隙可由能带的量子有限尺寸限域而打开。此外，我们的室温ARPES测量揭示了在7个五重层Bi2-xCrxSe3中x = 0.06与x = 0.08之间、无铁磁性的拓扑量子相变。
引用
@article{arxiv.1711.01797,
title = {Thickness driven topological quantum phase transition and experimental evidence of Dirac semimetal state in Cr-doped Bi2Se3},
author = {Turgut Yilmaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.01797},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 5 figures