通过Cd掺杂实现的拓扑绝缘体Bi2Se3中二维量子振荡与双极输运的观测
材料科学
2015-05-28 v2
摘要
我们提出了一种缺陷工程策略，用于优化拓扑绝缘体Bi2Se3的输运性质，以展示高体电阻率和清晰的量子振荡。从通过Cd掺杂并结合富硒晶体生长条件获得的p型Bi2Se3出发，我们能够通过后退火逐渐增加硒空位，观察到p型到n型的转换。在实现高补偿度的最佳退火条件下，电阻率在1.8 K时超过0.5 Ohm·cm，并且我们在低于14 T的磁场中观测到由多个频率组成的二维Shubnikov-de Haas振荡。
引用
@article{arxiv.1107.4178,
title = {Observations of two-dimensional quantum oscillations and ambipolar transport in the topological insulator Bi2Se3 achieved by Cd doping},
author = {Zhi Ren and A. A. Taskin and Satoshi Sasaki and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.4178},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 6 figures