非化学计量比 Bi$_2$Se$_3$ 晶体中的双极性表面态输运
材料科学
2017-01-19 v2 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
在具有简单单带电子结构和较大带隙的典型拓扑绝缘体 BiSe 中，由于硒空位引起的众所周知的自掺杂效应，其额外电子将化学势移入体导带，从而阻碍了真正的体绝缘行为的实现。我们报道了一种新的合成方法，用于制备化学计量比的 BiSe 晶体，其在低温下表现出非金属电输运行为。霍尔效应测量表明存在电子型和空穴型载流子，后者被确认为表面态导电，并在无需门控技术的情况下实现了体 BiSe 晶体中的双极性输运。载流子迁移率超过了该材料中已报道的拓扑表面态最高值，研究发现通过能带向上弯曲实现双极性输运是提升该材料未来研究和应用潜力的关键方法。
引用
@article{arxiv.1412.1422,
title = {Ambipolar surface state transport in non-metallic stoichiometric Bi$_2$Se$_3$ crystals},
author = {Paul Syers and Johnpierre Paglione},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1422},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures