SiTe中二维拓扑绝缘体的发现
材料科学
2016-11-15 v1
摘要
二维（2D）拓扑绝缘体（TIs）作为一种新的量子物质态，因其导电边缘态对抗背散射的显著鲁棒性，在实现低功耗电子设备方面大有前景。目前，进一步研究和潜在应用的主要挑战是缺乏合适的材料，这些材料应具有高制备可行性和可观的非平庸能隙。在此，我们通过第一性原理计算证明，SiTe二维晶体是一种具有0.220 eV可观非平庸能隙的有前景的2D TI。该材料在动力学和热力学上是稳定的。最重要的是，由于其弱键合层状结构，它可以从其三维超晶格中轻松剥离。此外，应变工程可有效控制其非平庸能隙，甚至诱导拓扑相变。我们的结果为2D TIs的实验探索和潜在应用提供了一个现实候选材料。
引用
@article{arxiv.1605.09654,
title = {Discovery of a two-dimensional topological insulator in SiTe},
author = {Yandong Ma and Liangzhi Kou and Ying Dai and Thomas Heine},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.09654},
year = {2016}
}