具有 5d 吸附原子的石墨烯中的巨大拓扑绝缘体能隙
介观与纳米尺度物理
2013-05-30 v1 材料科学
摘要
二维拓扑绝缘体 (2D TIs) 已被提议作为许多引人入胜应用的平台，范围从自旋电子学到拓扑量子信息处理。实现这一潜力很可能依赖于发现此类中新型且易于制造的材料。以此为目标，我们引入了一种通过使石墨烯与源自具有部分填充 d 壳层的重吸附原子（特别是锇和铱）的杂质带杂交来构建 2D TI 的新框架。第一性原理计算预测，通过这种方式产生的能隙在广泛的吸附原子覆盖度范围内超过 0.2 eV；此外，进入 TI 态无需调节费米能级。起作用的机制预计具有相当的普适性，可能为在许多材料中设计新的 TI 相打开大门。
引用
@article{arxiv.1206.4320,
title = {Giant topological insulator gap in graphene with 5d adatoms},
author = {Jun Hu and Jason Alicea and Ruqian Wu and Marcel Franz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.4320},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 8 figures