石墨烯多层中的拓扑晶体绝缘体相

尽管三维拓扑绝缘体的实验进展迅速，但其二维对应物的开发相对缓慢，尽管后者具有技术前景。主要原因是迄今为止二维拓扑绝缘体的实现仅限于半导体量子阱，面临材料挑战。在此，我们在一类不面临类似挑战且目前最广泛可用、表征最充分的材料——石墨烯中，识别出一种二维拓扑绝缘体。对于特定的共格层间扭转角，石墨烯多层表现为具有可观带隙的绝缘体。我们进一步证明，它们处于由晶体对称性保护的拓扑相。作为其基本特征，该拓扑态支持一维边界模。这些边界模形成低耗散量子线，且可纯通过静电方式定义。