拓扑晶体绝缘体的耦合层描述
介观与纳米尺度物理
2016-09-27 v2
摘要
我们引入了一种耦合层构造来描述受反射对称性保护的三维拓扑晶体绝缘体。我们的方法利用弱耦合的二维 Chern 绝缘体堆叠，在高一维的空间中产生拓扑晶体绝缘体，其表面 Dirac 锥的数量和位置可调。作为我们形式体系的一个应用，我们转向拓扑晶体绝缘体 SnTe 的简化模型，表明其受保护的表面态可以使用耦合层构造来描述。
引用
@article{arxiv.1605.00652,
title = {Coupled-layer description of topological crystalline insulators},
author = {I. C. Fulga and N. Avraham and H. Beidenkopf and A. Stern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00652},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 6 figures. This is the final, published version