块体与单层Si2Te3结构和电子性质的可变性
材料科学
2016-05-13 v1
摘要
自单层石墨烯作为一种有前景的二维材料问世以来，许多其他单层及少层材料也得到了广泛研究。最近有实验研究报道了少层Si2Te3，表明该材料具有多样的性质，在从全集成热电到光电子再到化学传感器的硅基器件中具有潜在应用。这种材料具有独特的层状结构：它拥有六方密堆积的Te亚晶格，Si二聚体占据八面体插层位点。本文报道了对该材料块体与单层形式的理论研究，揭示了因硅二聚体在Te原子平面之间的重新取向而产生的一系列引人入胜的多样性质。晶格常数变化高达5%，带隙变化高达40%，具体取决于二聚体的取向。对于Si二聚体的最低能量构型，单层带隙比块体相值大0.4 eV。原则上，这些性质可通过温度和应变进行调控，使得Si2Te3成为纳米尺度机械、光学和忆阻器件的候选材料。
引用
@article{arxiv.1605.03594,
title = {Variability of structural and electronic properties of bulk and monolayer Si2Te3},
author = {Yevgeniy Puzyrev and X. Shen and C. Combs and S. T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.03594},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 4 figures