三硫化钛(TiS3)：具有准一维光学和电子性质的二维半导体
材料科学
2016-04-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表征少层三硫化钛（TiS3）薄片，由于其面内结构对称性降低，显示其电学和光学性质的强各向异性。剥离少层薄片显示面内迁移率的显著各向异性，低温下比率高达7.6。基于TiS3纳米带的优先生长轴，我们开发一种简单方法通过角分辨偏振拉曼光谱识别剥离少层薄片的面内结晶轴。光学透射测量显示TiS3薄片显示强线性二色性，其大小（透射比高达30）远大于其他各向异性二维（2D）材料。最后，我们在随机相近似（RPA）中计算TiS3的吸收和透射谱，发现计算与观测实验光学透射率很好吻合。
引用
@article{arxiv.1510.06889,
title = {Titanium trisulfide (TiS3): a 2D semiconductor with quasi-1D optical and electronic properties},
author = {Joshua O. Island and Robert Biele and Mariam Barawi and Jose M. Clamagirand and Jose R. Ares and Carlos Sanchez and Herre S. J. van der Zant and Isabel J. Ferrer and Roberto D'Agosta and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.06889},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 4 figures, including Supporting Information (6 pages, 6 figures)