理解多层γ-InSe和ε-GaSe中的光学各向异性
光学
2026-01-21 v1
摘要
低维介质由于其强的面内共价键与弱的面外范德华相互作用的不对称性，展现出传统三维介质无法实现的光学各向异性。因此，二维介质是构建超薄器件（如偏振计、偏振光源和主动偏振器）的有前景的构建模块。III-VI族半导体在多层半导体类别中拥有一种罕见的特性，即其基本激子取向为面外方向。这使得它们能够展现出诸如在可见光范围内透明，同时在可见光和近红外范围内发光的现象。在此，我们首次报道了γ-InSe和ε-GaSe各向异性折射率的实验值，并观察了面外激子对c轴折射率的影响。研究发现，这两种材料在多层半导体中均表现出中等程度的光学各向异性。γ-InSe和ε-GaSe的复各向异性折射率使得对这些介质进行精确模拟成为可能，从而能够设计高性能、超紧凑的光电器件。
引用
@article{arxiv.2601.13961,
title = {Understanding Optical Anisotropy in Multilayer {\gamma}-InSe and {\epsilon}-GaSe},
author = {Jason Lynch and Zexuan Liu and Sergiy Krylyuk and Huairuo Zhang and Albert Davydov and Deep Jariwala},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.13961},
year = {2026}
}