具有保护性氧化物层的石墨烯转移

H. Grebel; L. Stan; A. V. Sumant; Y. Liu; D. Gosztola; L. Ocola; B. Fisher

doi:10.3390/chemengineering2040058

具有保护性氧化物层的石墨烯转移

应用物理 2019-07-09 v2 介观与纳米尺度物理

作者: H. Grebel , L. Stan , A. V. Sumant , Y. Liu , D. Gosztola , L. Ocola , B. Fisher

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摘要

将通过化学气相沉积(CVD)生长的石墨烯转移到目标衬底,通常需沉积聚合物层(通常为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚二甲基硅氧烷(PDMS))。这些聚合物很难在不留残留物的情况下去除。本文研究了一种带有保护性薄氧化物层的石墨烯转移方法。该薄氧化物层在Cu箔上石墨烯生长阶段结束后立即通过原子层沉积(ALD)生长。可进一步在复合物上沉积极薄聚合物层(远小于常规厚度)以辅助氧化物-石墨烯转移,随后采用更激进的聚合物去除方法,从而保持石墨烯完好。我们报道了氧化铝和氧化铪薄膜在石墨烯上的成核生长过程、由此产生的应变及其光学透射率。我们认为,就均匀性和缺陷而言,氧化铪是比氧化铝更好的石墨烯涂层氧化物。

关键词

石墨烯转移化学气相沉积原子层沉积保护性氧化物层氧化铝氧化铪

引用

@article{arxiv.1801.07338,
  title  = {Transfer of Graphene with Protective Oxide Layers},
  author = {H. Grebel and L. Stan and A. V. Sumant and Y. Liu and D. Gosztola and L. Ocola and B. Fisher},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1801.07338},
  year   = {2019}
}

备注

13 pgs, 13 figures

具有保护性氧化物层的石墨烯转移

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