使用全氟聚合物转移高迁移率 CVD 生长石墨烯的方法

使用非晶聚合物通过化学气相沉积（CVD）生长的石墨烯的转移，是制造基于石墨烯的电子器件的一种广泛应用的方法。然而，最常用的聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）会在石墨烯上留下残留物，限制迁移率。在此，我们报道了一种石墨烯转移和图案化方法，该方法采用全氟聚合物——Hyflon——作为转移把手，并保护石墨烯免受光刻胶或其他聚合物的污染。以这种方式转移到 LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ 异质结构上的 CVD 生长石墨烯是原子级清洁的，在 2 K 下狄拉克点附近具有高迁移率（~30,000 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$）以及清晰的量子化霍尔效应和磁电阻。通过石墨烯对 LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ 界面金属-绝缘体转变的局部控制通过该转移方法得以保持。诸如 Hyflon 之类的全氟聚合物与 CVD 生长石墨烯及其他二维材料的使用，可以容易地与其他聚合物或光刻胶一起实现。