利用 MoS$_2$ 基印章实现 CVD 石墨烯的干法转移
应用物理
2017-07-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
最近报道了一种用于化学气相沉积 (CVD) 生长石墨烯的无污染干法转移方法，该方法允许使用六方氮化硼 (hBN) 薄片直接从铜生长衬底拾取石墨烯，从而获得超高电荷载流子迁移率和低整体掺杂。本文报道，不仅 hBN，二硫化钼 (MoS) 薄片也可用于干法转移石墨烯。一方面，这允许使用 CVD 石墨烯结合不同的二维材料制备复杂的范德华异质结构；另一方面，这可能是实现 CVD 石墨烯可规模化干法转移的一条途径。通过低温输运测量研究了所得异质结构，揭示了当通过施加顶栅电压改变 MoS 中的载流子密度时，载流子迁移率（高达 12,000 cm/(Vs) 的值）以及电荷中性点附近的残余电荷载流子密度涨落对电荷载流子密度的强烈依赖性。
引用
@article{arxiv.1706.00422,
title = {Dry transfer of CVD graphene using MoS$_2$-based stamps},
author = {Luca Banszerus and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Bernd Beschoten and Christoph Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.00422},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures