CVD生长石墨烯中超过 28 \mu m 的弹道输运
介观与纳米尺度物理
2016-02-24 v2
摘要
我们报道了在完全封装于六方氮化硼中的化学气相沉积(CVD)生长石墨烯中，超过 28 \mu m 的弹道输运。该结构通过先进的干法范德瓦耳斯转移方法制备，并展现出高达三百万 cm/(Vs) 的载流子迁移率。通过测量十字形和方形器件中的弯曲电阻，探测了电荷输运的弹道性质。此外，温度依赖测量证明，在高达 200 K 的温度下，超过 1 \mu m 的弹道输运得以保持。
引用
@article{arxiv.1511.08601,
title = {Ballistic transport exceeding 28 \mu m in CVD grown graphene},
author = {Luca Banszerus and Michael Schmitz and Stephan Engels and Matthias Goldsche and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Bernd Beschoten and Christoph Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08601},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 3 figures