用于倒置自旋阀器件的干法转移CVD石墨烯
介观与纳米尺度物理
2017-10-11 v1
摘要
将化学气相沉积(CVD)生长的高迁移率石墨烯集成到自旋输运器件中，是石墨烯自旋电子学的关键任务之一。我们利用范德瓦耳斯拾取技术，通过六方氮化硼(hBN)将CVD石墨烯从铜生长衬底转移到预定义的Co/MgO电极上，以构建倒置自旋阀器件。提出了两种方法：(i) 首先将CVD石墨烯/hBN堆叠图案化成长条，然后由第二个更大的hBN晶体转移到自旋阀电极上的工艺；(ii) 直接转移CVD石墨烯/hBN堆叠。我们报道了CVD石墨烯中创纪录的高自旋寿命，在室温下高达1.75 ns。总体而言，我们器件的性能与由剥离石墨烯制备的器件相当，后者同样展现出纳秒级自旋寿命。我们期望我们的干法转移方法不仅为自旋电子学应用，而且为一般基于CVD石墨烯的纳米电子器件（其在最终范德瓦耳斯异质结构组装前需要对CVD石墨烯进行图案化）铺平了通往更先进器件几何结构的道路。
引用
@article{arxiv.1709.01364,
title = {Dry-transferred CVD graphene for inverted spin valve devices},
author = {Marc Drögeler and Luca Banszerus and Frank Volmer and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Bernd Beschoten and Christoph Stampfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.01364},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures