用于石墨烯自旋电子学的大面积BN隧道势垒
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1 材料科学
摘要
我们利用化学气相沉积（CVD）制备的可扩展材料制作了石墨烯自旋阀器件。自旋输运的石墨烯和隧道势垒材料均为CVD生长。隧道势垒由单层或双层h-BN实现，并置于石墨烯之上。使用沉积在势垒上的铁磁接触进行自旋输运实验。我们发现，在具有单层隧道势垒的器件中，由于电阻失配，自旋注入仍然受到极大抑制。然而，对于双层势垒的器件，情况并非如此。对于这些器件，我们推导出CVD石墨烯材料固有的自旋弛豫时间为260 ps。该时间尺度与剥离石墨烯的报告值相当，表明这种CVD方法对于需要可扩展材料的自旋电子学应用具有前景。
引用
@article{arxiv.1407.1439,
title = {Large-scale BN tunnel barriers for graphene spintronics},
author = {Wangyang Fu and Péter Makk and Romain Maurand and Matthias Bräuninger and Christian Schönenberger},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.1439},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 3 figures