全范德华二维器件中的自旋注入与探测
介观与纳米尺度物理
2025-03-06 v2 材料科学
摘要
在本工作中，我们报告了在仅使用剥离二维材料的全范德华异质结构中高效的面外自旋注入与探测。我们通过测量FeGeTe (FGT)、六方氮化硼和石墨烯层堆叠中非局域输运的自旋阀和Hanle信号，展示了自旋注入。FGT薄片构成了在石墨烯通道中注入和探测自旋所需的自旋对齐电极。hBN势垒在铁磁电极与石墨烯之间提供了高质量界面，消除了电导率失配问题，从而确保了高效的自旋注入与探测，自旋注入效率高达 \%。我们的结果表明，FGT/hBN/石墨烯异质结构构成了实现二维范德华自旋电子器件的有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2503.02471,
title = {Spin injection and detection in all-van der Waals 2D devices},
author = {Jan Bärenfänger and Klaus Zollner and Lukas Cvitkovich and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Stefan Hartl and Jaroslav Fabian and Jonathan Eroms and Dieter Weiss and Mariusz Ciorga},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.02471},
year = {2025}
}
备注
Main text: 8 pages, 6 figures; Supplemental: 9 pages, 12 figures