高迁移率干法转移化学气相沉积双层石墨烯
介观与纳米尺度物理
2018-05-09 v2 材料科学
摘要
我们报道了高质量化学气相沉积（CVD）双层石墨烯（BLG）的制备与表征。特别地，我们证明在铜-双层石墨烯界面氧化后，CVD生长的双层石墨烯可通过六方氮化硼（hBN）晶体从铜箔上机械剥离。共聚焦拉曼光谱揭示了 BLG 晶体的 AB 堆垛序及高结构质量。通过对完全封装的 hBN/BLG/hBN 霍尔条器件进行输运测量，我们提取到在 2 K 下高达 180,000 cm/(Vs)、在 300 K 下高达 40,000 cm/(Vs) 的电荷载流子迁移率，优于当前最先进的 CVD 双层石墨烯器件。此外，我们展示了在此类 CVD 生长的双层石墨烯中，对于 0.2 V/nm 的位移场，开关比超过 10,000 且带隙打开值可达 15 meV。
引用
@article{arxiv.1704.04352,
title = {High mobility dry-transferred CVD bilayer graphene},
author = {Michael Schmitz and Stephan Engels and Luca Banszerus and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Christoph Stampfer and Bernd Beschoten},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.04352},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures