一种基于商用六方氮化硼的高迁移率石墨烯器件新转移技术
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1
摘要
我们展示了商用六方氮化硼上单层和双层石墨烯的电子输运测量结果。我们在室温下提取的迁移率高达 125,000 cm^2/V/s，在 4.2 K 下高达 275,000 cm^2/V/s。在 5 T 磁场和 4.2 K 温度下， 量子霍尔平台的早期出现支持了其优异的质量。我们还提出了一种将石墨烯转移到六方氮化硼晶体上的新颖且精确的转移技术。该技术简单、快速，并在氮化硼上产生原子级平整的石墨烯，几乎完全无气泡或褶皱。商用氮化硼与我们转移技术的结合潜力，使得高迁移率石墨烯器件更易于获取。
引用
@article{arxiv.1110.1045,
title = {A new transfer technique for high mobility graphene devices on commercially available hexagonal boron nitride},
author = {P. J. Zomer and S. P. Dash and N. Tombros and B. J. van Wees},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.1045},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 3 figures