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强耦合堆叠顺序双层石墨烯的大规模合成

材料科学 2010-12-06 v1

摘要

通过化学气相沉积(CVD)大规模合成单层石墨烯(SLG)近来受到了广泛关注。然而,AB堆叠的双层石墨烯(BLG)的CVD合成仍然是一项具有挑战性的工作。在此,我们报道了通过热CVD在大面积上均匀合成BLG。CVD BLG的2D拉曼峰分裂为四个分量,表明由于强层间耦合导致的电子能带分裂。通过近红外(NIR)吸收和瞬态吸收光谱探测的载流子动力学研究,进一步证明了CVD BLG中电子能带的分裂。紫外光电子能谱研究也表明,CVD BLG具有与CVD SLG不同的电子结构。发现BLG的生长机制与铜(Cu)表面的催化活性有关,而催化活性又取决于CVD过程中所用铜箔的纯度。我们的工作表明,可以在铜箔上大规模生长强耦合甚至AB堆叠的BLG,这对于基于其分裂电子能带的器件应用尤为重要。

关键词

引用

@article{arxiv.1012.0701,
  title  = {Large Scale Synthesis of Bi-layer Graphene in Strongly Coupled Stacking Order},
  author = {Zhiqiang Luo and Ting Yu and Jingzhi Shang and Yingying Wang and Sanhua Lim and Lei Liu and Gagik G. Gurzadyan and Zexiang Shen and Jianyi Lin},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0701},
  year   = {2010}
}

备注

20 pages, 8 Figures