通过炔基气相沉积的表面耦合反应实现少层石墨炔生长
材料科学
2020-10-27 v1
摘要
由三键（sp）与双键（sp²）杂化碳原子构成的石墨炔（GY）家族是一种极具前景的碳同素异形体，可用于发展纳米级电子器件。与石墨烯不同，含有碳sp键的GY家族由于单体不稳定性与副反应，其高效二维（2D）生长仍是一个未解决的问题。本文中，我们使用1,3,5-三溴-2,4,6-三乙炔基苯（TBTEB），通过在低温下防止意外反应发生的化学气相沉积（CVD）将GY合成为单层2D结构。在铜表面通过TBTEB单体间的表面受限耦合实现的CVD生长GY，可避免经由副反应产生的一维（1D）或三维（3D）生长。该CVD生长的GY表现出六方晶格结构，在两个相邻六边形之间的连接中含有一条单独的sp-碳键，与γ-GY的结构一致。本工作为合成大规模、单晶GY开辟了新途径，其可凭借理论预期的属性实现多种应用。
引用
@article{arxiv.2010.13446,
title = {Few-Layered Graphyne Growth by an On-Surface Coupling Reaction via Alkynyl Vapour Deposition},
author = {Sohyeon Seo and Jungsue Choi and Soo Min Cho and Seungeun Lee and Hyoyoung Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.13446},
year = {2020}
}
备注
19 pages and 7 figures (including Supporting Information)