直接带隙半导体多孔石墨炔：结构、合成与潜在应用
材料科学
2019-07-09 v1
摘要
本文报道了通过1,3,5-三溴-2,4,6-三乙炔基苯的Castro-Stephens偶联反应在界面双溶剂体系中制备的二维（2D）单晶多孔石墨炔（HGY）。HGY是一种新型2D碳同素异形体，其结构由六顶点与八顶点环的图案构成。HGY的碳-碳2D网络在苯环与sp（碳-碳三键）键合之间交替连接。sp与sp2键合之比为50%。经DFT计算确认HGY稳定。从理论与实验上研究了HGY的振动、光学与电学性质。它是一种p型半导体，具有本征直接带隙（约1.0 eV）以及室温下的高空穴迁移率与电子迁移率。本报告有望助力开发新型高迁移率碳基半导体器件。
引用
@article{arxiv.1907.03534,
title = {Direct Band Gap Semiconducting Holey Graphyne: Structure, Synthesis and Potential Applications},
author = {Xinghui Liu1 and Soo Min Cho and Shiru Lin and Eunbhin Yun and Eun Hee Baek and Zhongfang Chen and Do Hyun Ryu and Hyoyoung Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.03534},
year = {2019}
}