ALD钼碳化物纳米层上无光刻胶与转移的图形化CVD石墨烯生长
应用物理
2020-01-01 v3 材料科学
摘要
通过化学气相沉积（CVD）在碳化钼（）衬底上生长了多层石墨烯（MLG）薄膜。我们通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备了催化性薄膜。研究并分析了非晶与结晶薄膜上的石墨烯生长机制。此外，催化衬底PEALD的独特优势在两种石墨烯器件制备途径中得到展示。首先，我们提出了在50下于预图形化 PEALD上完全自下而上、无光刻胶的图形化石墨烯生长（GG）。选择性CVD GG消除了对石墨烯薄膜进行图形化或转移以保持其原始生长品质的需求。此外，我们在100 nm悬浮SiN膜上的PEALD 上直接制备了MLG。我们利用拉曼光谱表征MLG品质，并通过光学显微镜、扫描电子显微镜与X射线衍射测量分析样品。此处展示的石墨烯器件制造技术为大规模生产石墨烯应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1911.06490,
title = {Resist and Transfer Free Patterned CVD Graphene Growth on ALD Molybdenum Carbide Nano Layers},
author = {Eldad Grady and Chenhui Li and Oded Raz and W. M. M. Kessels and Ageeth A. Bol},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.06490},
year = {2020}
}
备注
Preprint V.3, 5 pages, 6 figures. Comments: the following sections have been edited- Abstract, Introduction, Discussion and conclusions and Acknowledgements. Plots and graphics have been modified for better visualisation of data