石墨烯晶体管的无转移制备
介观与纳米尺度物理
2012-05-23 v1
摘要
我们发明了一种在氧化硅晶圆上制备石墨烯晶体管而无需转移石墨烯层的方法。为促进石墨烯层在氧化硅上的生长，采用了纳米级薄铝/镍双层催化剂系统。该催化剂系统在晶圆进入催化化学气相沉积（CCVD）腔室前通过剥离工艺进行图形化。在随后的基于甲烷的生长过程中，单层石墨烯场效应晶体管（MoLGFETs）和双层石墨烯场效应晶体管（BiLGFETs）被直接制备在氧化硅衬底上，其中堆叠的石墨烯层数由所选定的 CCVD 工艺参数（如温度和气体混合物）决定。随后，在催化区域之间的沟道区域内进行拉曼光谱分析，五层、双层和单层石墨烯的拉曼光谱证实了通过这种与硅兼容、无转移且原位的制备方法生长的石墨烯的存在。这些石墨烯 FET 将允许在混合硅 CMOS 环境中简单、低成本地集成石墨烯器件，用于纳米电子学应用。
引用
@article{arxiv.1112.4320,
title = {Transfer-free fabrication of graphene transistors},
author = {Pia Juliane Wessely and Frank Wessely and Emrah Birinci and Bernadette Riedinger and Udo Schwalke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.4320},
year = {2012}
}
备注
15 pages, 4 figures