高k介电材料对石墨烯形成的催化潜力
介观与纳米尺度物理
2011-02-28 v1 材料科学
摘要
通过透射电子显微镜展示了在MgO和ZrO2上低温生长单层和多层石墨烯纳米片。石墨烯纳米片普遍锚定在MgO(100)表面的台阶边缘。在MgO(100)上的密度泛函理论研究指出,C2H2分解和碳吸附发生在台阶边缘。因此,实验和理论数据都强调了台阶位点对MgO上石墨烯生长的重要性。
引用
@article{arxiv.1102.5258,
title = {The catalytic potential of high-k dielectrics for graphene formation},
author = {Andrew Scott and Arezoo Dianat and Felix Börrnert and Alicja Bachmatiuk and Shasha Zhang and Jamie H. Warner and Ewa Borowiak-Palen and Martin Knupfer and Bernd Büchner and Gianaurelio Cuniberti and Mark H. Rümmeli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.5258},
year = {2011}
}