在石墨烯上生长的 Ni(OH)2 纳米片作为先进电化学赝电容材料
材料科学
2010-05-07 v1
摘要
研究了在不同氧化程度的石墨烯片上生长的 Ni(OH)2 纳米晶体作为潜在储能应用的电化学赝电容材料。直接在轻度氧化、导电的石墨烯片（GS）上生长的单晶 Ni(OH)2 六方纳米片，在 2.8 A/g 的充放电电流密度下表现出约 1335 F/g 的高比电容，在 45.7 A/g 下约为 953 F/g，并具有优异的循环性能。高比电容和显著的倍率性能使其在同时具有高能量和高功率密度的超级电容器应用中前景广阔。预合成的 Ni(OH)2 纳米片与石墨烯片的简单物理混合物显示出较低的比电容，这凸显了将纳米材料直接生长在石墨烯上以在活性纳米材料和导电石墨烯网络之间建立紧密相互作用和高效电荷传输的重要性。直接在石墨烯片上生长的单晶 Ni(OH)2 纳米片也显著优于在重度氧化、电绝缘的氧化石墨烯（GO）上生长的小 Ni(OH)2 纳米颗粒，表明这些复合材料的电化学性能取决于石墨烯基底的质量以及其上生长的纳米材料的形貌和结晶度。这些结果强调了为高性能能源应用合理设计和合成石墨烯基纳米复合材料的重要性。
引用
@article{arxiv.1005.0853,
title = {Ni(OH)2 Nanoplates Grown on Graphene as Advanced Electrochemical Pseudocapacitor Materials},
author = {Hailiang Wang and Hernan Sanchez Casalongue and Yongye Liang and Hongjie Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.0853},
year = {2010}
}
备注
Published in JACS