不同氧化程度石墨烯上的纳米晶生长
材料科学
2010-02-19 v1
摘要
我们展示了一种通用的两步法，用于在两种氧化程度的石墨烯上生长铁族元素（Ni, Co, Fe）的氢氧化物和氧化物纳米晶。在水热反应中，在低氧化石墨烯片（GS）和高氧化石墨烯氧化物（GO）上观察到了截然不同的纳米晶生长行为。预涂覆在含氧表面基团较少的GS上的小颗粒，会扩散并再结晶成具有明确形貌的单晶氢氧化镍Ni(OH)2六方纳米片或氧化铁Fe2O3纳米棒。相比之下，预涂覆在GO上的颗粒则被GO上高浓度的含氧基团和缺陷钉扎，无法再结晶成明确的形状。调节反应温度可进一步控制石墨烯上生长的材料。对于与石墨烯相互作用较弱的材料，即使在高度氧化且存在缺陷的GO上，提高反应温度也能导致表面物种扩散并再结晶成更大的晶体。我们的结果表明，通过调控石墨烯的表面化学性质作为晶体成核和生长的基底，是一种控制石墨烯上纳米材料形貌的有趣新方法。
引用
@article{arxiv.1002.3435,
title = {Nanocrystal Growth on Graphene with Various Degrees of Oxidation},
author = {Hailiang Wang and Joshua Tucker Robinson and Georgi Diankov and Hongjie Dai*},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.3435},
year = {2010}
}
备注
JACS in press